光刻机的光源原理是利用极紫外（EUV）光源产生波长为13.5纳米的光。这种光源采用激光等离子体产生高能量的脉冲光束，然后通过多级反射镜系统将光束聚焦到光刻机的掩模上。在掩模上形成的图案通过光学系统投射到硅片上，实现微米级别的图案转移。
EUV光源的原理涉及到激光等离子体、脉冲功率、多级反射镜系统等关键技术，以确保高能量、稳定性和长寿命的光源输出。
光刻机的光源原理是利用极紫外（EUV）光源产生波长为13.5纳米的光。这种光源采用激光等离子体产生高能量的脉冲光束，然后通过多级反射镜系统将光束聚焦到光刻机的掩模上。在掩模上形成的图案通过光学系统投射到硅片上，实现微米级别的图案转移。
EUV光源的原理涉及到激光等离子体、脉冲功率、多级反射镜系统等关键技术，以确保高能量、稳定性和长寿命的光源输出。
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