一英飞凌BMS系列给你举例吧。BSM100GB120DN2K BSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块 BYM--------------二极管模块 100-----------Tc=80°C时的额定电流 GA--------一单元模块 GB----------两单元模块(半桥模块) GD----------六单元模块 GT----------三单元模块 GP----------七单元模块(功率集成模块) GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极) GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极) 120-------额定电压×10 DL------低饱和压降 DN2----高频型 DLC----带(EmCon)二极管的低饱和压降 其他厂商命名上都大同小异。

igbt的标码含义 扩展

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极晶体管。h20r1202与h20r1203的区别在于设计编号不同。IGBT管由MOS管（FET）和双极Darlington管组成。

H后面的数字表示IGBT的额定工作电流（a）。例如，型号15表示额定工作电流为15A，r后面的3位数字＊10表示IGBT的最大关断电压（V）。例如，120表示最大关断电压为1200伏，最后一位为设计序号2，与元件参数无关。